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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > JAN2N3811
JAN2N3811
Modelo do Produto:
JAN2N3811
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
90621 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
JAN2N3811.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 100µA, 1mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-78-6
Série:Military, MIL-PRF-19500/336
Power - Max:350mW
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-78-6 Metal Can
Outros nomes:1086-2359
1086-2359-MIL
Temperatura de operação:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:300 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):50mA
Email:[email protected]

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