GP1M009A090FH
GP1M009A090FH
Modelo do Produto:
GP1M009A090FH
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
29929 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
GP1M009A090FH.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):48W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:1560-1173-1
1560-1173-1-ND
1560-1173-5
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2324pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição detalhada:N-Channel 900V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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