GP1M009A090FH
GP1M009A090FH
Varenummer:
GP1M009A090FH
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
29929 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
GP1M009A090FH.pdf

Introduktion

GP1M009A090FH bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for GP1M009A090FH, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for GP1M009A090FH via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-220F
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max):48W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-220-3 Full Pack
Andre navne:1560-1173-1
1560-1173-1-ND
1560-1173-5
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:2324pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):900V
Detaljeret beskrivelse:N-Channel 900V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer