GP1M009A090FH
GP1M009A090FH
部品型番:
GP1M009A090FH
メーカー:
Global Power Technologies Group
説明:
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
29929 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
GP1M009A090FH.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220F
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
電力消費(最大):48W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
他の名前:1560-1173-1
1560-1173-1-ND
1560-1173-5
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2324pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:65nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:900V
詳細な説明:N-Channel 900V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9A (Tc)
Email:[email protected]

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