GP1M009A020HG
GP1M009A020HG
Modelo do Produto:
GP1M009A020HG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
27920 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
GP1M009A020HG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):52W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:414pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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