GP1M009A020HG
GP1M009A020HG
Número de pieza:
GP1M009A020HG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
27920 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
GP1M009A020HG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):52W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:414pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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