GP1M009A020HG
GP1M009A020HG
Artikelnummer:
GP1M009A020HG
Hersteller:
Global Power Technologies Group
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
27920 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
GP1M009A020HG.pdf

Einführung

GP1M009A020HG bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für GP1M009A020HG, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für GP1M009A020HG per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max):52W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:414pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung