TK9P65W,RQ
TK9P65W,RQ
제품 모델:
TK9P65W,RQ
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
54496 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
TK9P65W,RQ.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):3.5V @ 350µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:DPAK
연속:DTMOSIV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):560 mOhm @ 4.6A, 10V
전력 소비 (최대):80W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들:TK9P65W,RQ(S
TK9P65WRQTR
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:700pF @ 300V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:20nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):650V
상세 설명:N-Channel 650V 9.3A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):9.3A (Ta)
Email:[email protected]

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