STD10N60DM2
STD10N60DM2
제품 모델:
STD10N60DM2
제조사:
STMicroelectronics
기술:
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
49711 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.STD10N60DM2.pdf2.STD10N60DM2.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 250µA
Vgs (최대):±25V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:DPAK
연속:MDmesh™ DM2
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):530 mOhm @ 4A, 10V
전력 소비 (최대):109W (Tc)
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들:497-16924-6
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:529pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:15nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):650V
상세 설명:N-Channel 650V 8A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):8A (Tc)
Email:[email protected]

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