SIZ916DT-T1-GE3
SIZ916DT-T1-GE3
제품 모델:
SIZ916DT-T1-GE3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
58752 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
SIZ916DT-T1-GE3.pdf

소개

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규격

조건 New and Original
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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):2.4V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:8-PowerPair® (6x5)
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):6.4 mOhm @ 19A, 10V
전력 - 최대:22.7W, 100W
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:8-PowerWDFN
다른 이름들:SIZ916DT-T1-GE3DKR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1208pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:26nC @ 10V
FET 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징:Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):16A, 40A
기본 부품 번호:SIZ916
Email:[email protected]

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