SI8823EDB-T2-E1
SI8823EDB-T2-E1
제품 모델:
SI8823EDB-T2-E1
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
76369 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
SI8823EDB-T2-E1.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):800mV @ 250µA
Vgs (최대):±8V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
연속:TrenchFET® Gen III
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):95 mOhm @ 1A, 4.5V
전력 소비 (최대):900mW (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:4-XFBGA
다른 이름들:SI8823EDB-T2-E1TR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:46 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:580pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:10nC @ 4.5V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
상세 설명:P-Channel 20V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):2.7A (Tc)
Email:[email protected]

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