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조건 | New and Original |
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유래 | Contact us |
살수 장치 | Boser Technology |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 1206-8 ChipFET™ |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
전력 - 최대: | 3.1W |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-SMD, Flat Lead |
다른 이름들: | SI5935CDC-T1-GE3TR SI5935CDCT1GE3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 455pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 11nC @ 5V |
FET 유형: | 2 P-Channel (Dual) |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4A |
기본 부품 번호: | SI5935 |
Email: | [email protected] |