SI3900DV-T1-E3 최고의 가격과 빠른 배달.
BOSER Technology SI3900DV-T1-E3에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. SI3900DV-T1-E3 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.우리의 이메일 : [email protected]
SI3900DV-T1-E3
- 제품 모델:
- SI3900DV-T1-E3
- 기술:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 73320 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- SI3900DV-T1-E3.pdf
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 전압 - 테스트: | - |
| 전압 - 파괴: | 6-TSOP |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| 연속: | TrenchFET® |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 2A |
| 전력 - 최대: | 830mW |
| 편광: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 다른 이름들: | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | SI3900DV-T1-E3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 4nC @ 4.5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
| FET 특징: | 2 N-Channel (Dual) |
| 확장 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | Logic Level Gate |
| 기술: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 20V |
| Email: | [email protected] |
SI3900DV-T1-E3에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Vishay는 VCSEL을 기반으로 새로운 고성능 반사광 센서를 출시했습니다.
- 작은 충전 IC 그루터기 사과, Huawei, Samsung의 이유는 무엇입니까?
- 전자 재료의 반도체 산업의 중요성
- 탄소 기반의 반도체는 어떻게 무너 지는가?
- 중국의 세계적인 전자 제품 공급망에서의 중요한 역할
- 50 억 위안! Ziguang의 주식을 취득하려는 Alibaba의 의도의 노출
- 국내 고전압 및 대용량 압착 IGBT 칩 및 장치를 성공적으로 개발했습니다.
- 국내 반도체 IP는 터닝 포인트에서도 안지 시켰고, 이동 기술의 장점 및 기회 분석
- 화웨이 허블 (Huawei Hubble)은 심하게 투자합니다 : 반도체 산업에 밀접하게 집중
- 포장 및 테스트, MOSFET 20 %까지 급증했습니다!
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 새로운 팹의 물결이 다시 나타나고 반도체 장비의 붐이 계속됩니다.