RN1131MFV(TL3,T)
RN1131MFV(TL3,T)
제품 모델:
RN1131MFV(TL3,T)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
60623 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
RN1131MFV(TL3,T).pdf

소개

RN1131MFV(TL3,T) 최고의 가격과 빠른 배달.
BOSER Technology RN1131MFV(TL3,T)에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. RN1131MFV(TL3,T) 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
우리의 이메일 : [email protected]

규격

조건 New and Original
유래 Contact us
살수 장치 Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 500µA, 5mA
트랜지스터 유형:NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:VESM
연속:-
저항기 -베이스 (R1):100 kOhms
전력 - 최대:150mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:SOT-723
다른 이름들:RN1131MFV(TL3T)CT
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:120 @ 1mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석