PSMN5R9-30YL,115
PSMN5R9-30YL,115
제품 모델:
PSMN5R9-30YL,115
제조사:
NXP Semiconductors / Freescale
기술:
MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
33891 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
PSMN5R9-30YL,115.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):2.15V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:LFPAK56, Power-SO8
연속:TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):6.1 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대):63W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
다른 이름들:568-6903-2
934064946115
PSMN5R930YL115
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1226pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:21.3nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:N-Channel 30V 78A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):78A (Tc)
Email:[email protected]

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