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PSMN040-200W,127
PSMN040-200W,127
제품 모델:
PSMN040-200W,127
제조사:
NXP Semiconductors / Freescale
기술:
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
56449 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
PSMN040-200W,127.pdf
문의

소개

PSMN040-200W,127 최고의 가격과 빠른 배달.
BOSER Technology PSMN040-200W,127에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. PSMN040-200W,127 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
우리의 이메일 : [email protected]

규격

조건 New and Original
유래 Contact us
살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-247-3
연속:TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):40 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대):300W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-247-3
다른 이름들:934055781127
PSMN040-200W
PSMN040-200W-ND
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:9530pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:183nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):200V
상세 설명:N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):50A (Tc)
Email:[email protected]

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