MT47H64M8CB-5E:B TR 최고의 가격과 빠른 배달.
BOSER Technology MT47H64M8CB-5E:B TR에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. MT47H64M8CB-5E:B TR 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.우리의 이메일 : [email protected]
MT47H64M8CB-5E:B TR
- 제품 모델:
- MT47H64M8CB-5E:B TR
- 기술:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 43004 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- MT47H64M8CB-5E:B TR.pdf
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
| 전압 - 공급: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 과학 기술: | SDRAM - DDR2 |
| 제조업체 장치 패키지: | 60-FBGA |
| 연속: | - |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 60-FBGA |
| 다른 이름들: | MT47H64M8CB-5E:B TR-ND MT47H64M8CB-5E:BTR |
| 작동 온도: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 5 (48 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 512Mb (64M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명: | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA |
| 클럭 주파수: | 200MHz |
| 기본 부품 번호: | MT47H64M8 |
| 액세스 시간: | 600ps |
| Email: | [email protected] |
MT47H64M8CB-5E:B TR에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Vishay는 VCSEL을 기반으로 새로운 고성능 반사광 센서를 출시했습니다.
- 작은 충전 IC 그루터기 사과, Huawei, Samsung의 이유는 무엇입니까?
- 전자 재료의 반도체 산업의 중요성
- 탄소 기반의 반도체는 어떻게 무너 지는가?
- 중국의 세계적인 전자 제품 공급망에서의 중요한 역할
- 50 억 위안! Ziguang의 주식을 취득하려는 Alibaba의 의도의 노출
- 국내 고전압 및 대용량 압착 IGBT 칩 및 장치를 성공적으로 개발했습니다.
- 국내 반도체 IP는 터닝 포인트에서도 안지 시켰고, 이동 기술의 장점 및 기회 분석
- 화웨이 허블 (Huawei Hubble)은 심하게 투자합니다 : 반도체 산업에 밀접하게 집중
- 포장 및 테스트, MOSFET 20 %까지 급증했습니다!
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 새로운 팹의 물결이 다시 나타나고 반도체 장비의 붐이 계속됩니다.