MS1007 - Microsemi 트랜지스터-양극 (bjt)-rf

MS1007

제품 모델:: MS1007

제조사:: Microsemi

기술:: TRANS RF BIPO 233W 10A M174

[LeadFreeStatus]未找到翻译: 무연 / RoHS 준수

수량:: 24993 Pieces

배달 시간:: 1-2 days

데이터 시트:: MS1007.pdf

문의

소개

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규격

조건	New and Original
유래	Contact us
살수 장치	Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	55V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	M174
연속:	-
전력 - 최대:	233W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	M174
작동 온도:	200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:	Lead free / RoHS Compliant
이득:	14dB
주파수 - 전환:	30MHz
상세 설명:	RF Transistor NPN 55V 10A 30MHz 233W Chassis Mount M174
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	18 @ 1.4A, 6V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	10A
Email:	[email protected]

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