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IXFN70N120SK
IXFN70N120SK
제품 모델:
IXFN70N120SK
제조사:
IXYS Corporation
기술:
MOSFET N-CH
수량:
75320 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
IXFN70N120SK.pdf
문의

소개

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조건 New and Original
유래 Contact us
살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 15mA
Vgs (최대):+20V, -5V
과학 기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
제조업체 장치 패키지:SOT-227B
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):34 mOhm @ 50A, 20V
전력 소비 (최대):-
패키지 / 케이스:SOT-227-4, miniBLOC
작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Chassis Mount
제조업체 표준 리드 타임:32 Weeks
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2790pF @ 1000V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:161nC @ 20V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):20V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1200V
상세 설명:N-Channel 1200V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):68A (Tc)
Email:[email protected]

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