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조건 | New and Original |
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유래 | Contact us |
살수 장치 | Boser Technology |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | - |
전압 - 공급: | 1.7 V ~ 1.9 V |
과학 기술: | DRAM |
제조업체 장치 패키지: | 144-TWBGA (11x18.5) |
연속: | - |
포장: | Tray |
패키지 / 케이스: | 144-TFBGA |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 크기: | 576Mb (32M x 18) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
메모리 형식: | DRAM |
제조업체 표준 리드 타임: | 12 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명: | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-TWBGA (11x18.5) |
클럭 주파수: | 400MHz |
액세스 시간: | 20ns |
Email: | [email protected] |