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조건 | New and Original |
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유래 | Contact us |
살수 장치 | Boser Technology |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
연속: | HEXFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
전력 - 최대: | 2.5W |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들: | *IRF7389 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 650pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET 유형: | N and P-Channel |
FET 특징: | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | - |
Email: | [email protected] |