FGD3N60LSDTM-T
제품 모델:
FGD3N60LSDTM-T
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
INTEGRATED CIRCUIT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
41310 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
FGD3N60LSDTM-T.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):1.5V @ 10V, 3A
시험 조건:480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:40ns/600ns
에너지 전환:250µJ (on), 1mJ (off)
제조업체 장치 패키지:TO-252, (D-Pak)
연속:-
역 회복 시간 (trr):234ns
전력 - 최대:40W
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 유형:Standard
IGBT 유형:-
게이트 충전:12.5nC
상세 설명:IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):25A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):6A
Email:[email protected]

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