FCP11N60N
제품 모델:
FCP11N60N
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
41781 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.FCP11N60N.pdf2.FCP11N60N.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 250µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220-3
연속:SupreMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):299 mOhm @ 5.4A, 10V
전력 소비 (최대):94W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-220-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:39 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1505pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:35.6nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
상세 설명:N-Channel 600V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):10.8A (Tc)
Email:[email protected]

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