FCH125N65S3R0-F155
FCH125N65S3R0-F155
제품 모델:
FCH125N65S3R0-F155
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
SUPERFET3 650V TO247 PKG
수량:
71240 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
FCH125N65S3R0-F155.pdf

소개

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규격

조건 New and Original
유래 Contact us
살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 2.4mA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-247-3
연속:SuperFET® III
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):125 mOhm @ 12A, 10V
전력 소비 (최대):181W (Tc)
패키지 / 케이스:TO-247-3
다른 이름들:FCH125N65S3R0-F155-ND
FCH125N65S3R0-F155OS
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
무연 상태:Lead free
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1940pF @ 400V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:46nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):650V
상세 설명:N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-247-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):24A (Tc)
Email:[email protected]

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