CY15B104Q-PZXI 최고의 가격과 빠른 배달.
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조건 | New and Original |
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유래 | Contact us |
살수 장치 | Boser Technology |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | - |
전압 - 공급: | 2 V ~ 3.6 V |
과학 기술: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
연속: | F-RAM™ |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 크기: | 4Mb (512K x 8) |
메모리 인터페이스: | SPI |
메모리 형식: | FRAM |
제조업체 표준 리드 타임: | 10 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) SPI 40MHz |
클럭 주파수: | 40MHz |
Email: | [email protected] |