CSD86336Q3D
제품 모델:
CSD86336Q3D
제조사:
TI
기술:
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
납 함유 / RoHS 준수
수량:
84897 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
CSD86336Q3D.pdf

소개

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규격

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:8-VSON (3.3x3.3)
연속:NexFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
전력 - 최대:6W
패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
작동 온도:-55°C ~ 125°C
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:35 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Contains lead / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징:Logic Level Gate, 5V Drive
소스 전압에 드레인 (Vdss):25V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):20A (Ta)
Email:[email protected]

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