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TP65H035WS
- 部品型番:
- TP65H035WS
- メーカー:
- Transphorm
- 説明:
- 650 V 46.5 CASCODE GAN FET
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 73861 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- TP65H035WS.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.8V @ 700µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247-3 |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 41 mOhm @ 30A, 8V |
| 電力消費（最大）: | 156W (Tc) |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1500pF @ 400V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 36nC @ 8V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 8V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 650V |
| 詳細な説明: | N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 46.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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