| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.8V @ 700µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 41 mOhm @ 30A, 8V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 156W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1500pF @ 400V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 36nC @ 8V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 8V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 46.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
