TPH8R008NH,L1Q
TPH8R008NH,L1Q
Modello di prodotti:
TPH8R008NH,L1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N CH 80V 34A SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
54518 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TPH8R008NH,L1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 61W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPH8R008NH,L1Q(M
TPH8R008NHL1Q
TPH8R008NHL1QTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:N-Channel 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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