TPHR8504PL,L1Q
TPHR8504PL,L1Q
Modello di prodotti:
TPHR8504PL,L1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
56160 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TPHR8504PL,L1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSIX-H
Rds On (max) a Id, Vgs:0.85 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta), 170W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPHR8504PL,L1Q(M
TPHR8504PLL1Q
TPHR8504PLL1QTR
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9600pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

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