| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.1 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 67W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | TPH4R10ANLL1Q |
| temperatura di esercizio: | 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6.3nF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 92A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 92A (Ta), 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
