TPH6R004PL,LQ
Modello di prodotti:
TPH6R004PL,LQ
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
32645 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TPH6R004PL,LQ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSIX-H
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 24.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 81W (Tc)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPH6R004PLLQ
temperatura di esercizio:175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 87A (Ta), 49A (Tc) 1.8W (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:87A (Ta), 49A (Tc)
Email:[email protected]

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