TPH8R008NH,L1Q
TPH8R008NH,L1Q
部品型番:
TPH8R008NH,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N CH 80V 34A SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
54518 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
TPH8R008NH,L1Q.pdf

簡潔な

TPH8R008NH,L1Q最高の価格と速い配達。
BOSER Technology TPH8R008NH,L1Qのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にTPH8R008NH,L1Qのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
私達のEメール:[email protected]

規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 500µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP Advance (5x5)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):8 mOhm @ 17A, 10V
電力消費(最大):1.6W (Ta), 61W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPH8R008NH,L1Q(M
TPH8R008NHL1Q
TPH8R008NHL1QTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3000pF @ 40V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:80V
詳細な説明:N-Channel 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):34A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考