DMN4020LFDE-13
DMN4020LFDE-13
Modello di prodotti:
DMN4020LFDE-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
57276 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMN4020LFDE-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:U-DFN2020-6 (Type E)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):660mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:DMN4020LFDE-13DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19.1nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 8A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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