DMN4030LK3-13
DMN4030LK3-13
Modello di prodotti:
DMN4030LK3-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS conforme
Quantità:
46912 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMN4030LK3-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.14W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:DMN4030LK3-13DITR
DMN4030LK313
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:604pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 9.4A (Ta) 2.14W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.4A (Ta)
Email:[email protected]

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