DMN3900UFA-7B
DMN3900UFA-7B
Modello di prodotti:
DMN3900UFA-7B
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
47621 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMN3900UFA-7B.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:X2-DFN0806-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:760 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):390mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-XFDFN
Altri nomi:DMN3900UFA-7BTR
DMN3900UFA7B
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:42.2pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:550mA (Ta)
Email:[email protected]

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