DMN3730UFB-7
DMN3730UFB-7
Modello di prodotti:
DMN3730UFB-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
74736 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMN3730UFB-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:3-DFN
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):470mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-UFDFN
Altri nomi:DMN3730UFB-7TR
DMN3730UFB7
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:64.3pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:750mA (Ta)
Email:[email protected]

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