DMN4020LFDE-13
DMN4020LFDE-13
Modelo do Produto:
DMN4020LFDE-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
57276 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DMN4020LFDE-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:U-DFN2020-6 (Type E)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max):660mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:DMN4020LFDE-13DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:19.1nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 8A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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