| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | IPAK (TO-251) |
| Sorozat: | HEXFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 110W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Más nevek: | SP001565188 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2290pF @ 50V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Részletes leírás: | N-Channel 60V 56A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 56A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
