| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | IPAK (TO-251) |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
| Strata mocy (max): | 110W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Inne nazwy: | SP001565188 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2290pF @ 50V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 60V 56A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 56A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
