| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 10mA |
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Technológia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247-4L |
| Sorozat: | C2M™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 28A, 20V |
| Teljesítményleadás (Max): | 277W (Tc) |
| Csomagolás / tok: | TO-247-4 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | Not Applicable |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2250pF @ 1000V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 20V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 20V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1700V |
| Részletes leírás: | N-Channel 1700V 40A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
