| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 10mA |
| Vgs (макс): | +25V, -10V |
| технология: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-247-4L |
| серия: | C2M™ |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 28A, 20V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 277W (Tc) |
| Пакет / касета: | TO-247-4 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | Not Applicable |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 2250pF @ 1000V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 120nC @ 20V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 1700V |
| Подробно описание: | N-Channel 1700V 40A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
