| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 500µA |
| Vgs (макс): | +25V, -10V |
| технология: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-247-3 |
| серия: | Z-FET™ |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 196 mOhm @ 10A, 20V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 125W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-247-3 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 52 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 527pF @ 800V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 32.6nC @ 20V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 1200V |
| Подробно описание: | N-Channel 1200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
