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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR5211G0L
UNR5211G0L
UNR5211G0L
Modèle de produit:
UNR5211G0L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69473 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
UNR5211G0L.pdf
Enquête

introduction

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BOSER Technology est le distributeur pour UNR5211G0L, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour UNR5211G0L par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SMini3-F2
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-85
Autres noms:UNR5211G0LTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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