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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR5211G0L
UNR5211G0L
UNR5211G0L
Modello di prodotti:
UNR5211G0L
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
69473 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
UNR5211G0L.pdf
Inchiesta

introduzione

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BOSER Technology è il distributore di UNR5211G0L, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per UNR5211G0L via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SMini3-F2
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-85
Altri nomi:UNR5211G0LTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:150MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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