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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR5211G0L
UNR5211G0L
UNR5211G0L
Número de pieza:
UNR5211G0L
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
69473 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
UNR5211G0L.pdf
Investigación

Introducción

UNR5211G0L mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de UNR5211G0L, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para UNR5211G0L por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SMini3-F2
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-85
Otros nombres:UNR5211G0LTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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