TPCC8002-H(TE12L,Q
TPCC8002-H(TE12L,Q
Modèle de produit:
TPCC8002-H(TE12L,Q
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
57262 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf2.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Séries:U-MOSV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.3 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max):700mW (Ta), 30W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:TPCC8002-H(TE12LQTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

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