TPCC8009,LQ(O
Modèle de produit:
TPCC8009,LQ(O
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
91334 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TPCC8009,LQ(O.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 200µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Séries:U-MOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:TPCC8009LQ(O
TPCC8009LQO
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1270pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 24A (Ta) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:24A (Ta)
Email:[email protected]

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