TPCC8002-H(TE12L,Q
TPCC8002-H(TE12L,Q
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TPCC8002-H(TE12L,Q
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
57262 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf2.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf

บทนำ

TPCC8002-H(TE12L,Q ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ TPCC8002-H(TE12L,Q เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ TPCC8002-H(TE12L,Q ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
ชุด:U-MOSV-H
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:8.3 mOhm @ 11A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):700mW (Ta), 30W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerVDFN
ชื่ออื่น:TPCC8002-H(TE12LQTR
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2500pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:27nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:22A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest