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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > TH58NYG2S3HBAI4
TH58NYG2S3HBAI4
Modèle de produit:
TH58NYG2S3HBAI4
Fabricant:
Toshiba Memory America, Inc.
La description:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71970 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TH58NYG2S3HBAI4.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:25ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:FLASH - NAND (SLC)
Package composant fournisseur:63-TFBGA (9x11)
Séries:-
Package / Boîte:63-VFBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:4Gb (512M x 8)
Interface mémoire:-
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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